Mikä on dynaaminen hajasaantimuisti (dram)? - määritelmä techopediasta

Määritelmä - Mitä dynaaminen Random Access Memory (DRAM) tarkoittaa?

Dynaaminen hajasaantimuisti (DRAM) on tietyn tyyppinen hajasaantimuisti, jota käytetään laskentalaitteissa (ensisijaisesti tietokoneissa). DRAM tallentaa jokaisen databitin erilliseen passiiviseen elektroniseen komponenttiin, joka on integroidun piirilevyn sisällä. Jokaisella sähkökomponentilla on kaksi arvotilaa yhdessä bitissä, nimeltään 0 ja 1. Tämä kaptikaattori on päivitettävä usein, muuten informaatio haalistuu. DRAM: lla on yksi kondensaattori ja yksi transistori bittiä kohden, toisin kuin staattinen hajasaantimuisti (SRAM), joka vaatii 6 transistoria. Käytetyt kondensaattorit ja transistorit ovat poikkeuksellisen pieniä. On miljoonia kondensaattoreita ja transistoreita, jotka mahtuvat yhdelle muistisirulle.

Techopedia selittää dynaamisen satunnaismuistin (DRAM)

DRAM on dynaaminen muisti ja SRAM on staattinen muisti. Piirilevyn DRAM-sirujen on päivitettävä muutaman millisekunnin välein. Tämä tapahtuu kirjoittamalla tiedot moduulille. Päivittämistä tarvitsevat sirut ovat haihtuvat muistot. DRAM käyttää muistia suoraan, pitää muistia lyhyen ajan ja menettää tietonsa, kun virta katkaistaan. SRAM on haihtuva muisti, joka on staattinen ja ei tarvitse päivitystä. Koska SRAM on paljon nopeampi, sitä käytetään rekistereissä ja välimuistissa. SRAM pitää tietoja ja suorittaa suuremmalla nopeudella kuin DRAM. Vaikka SRAM on nopeampi, DRAM: ää käytetään useammin emolevyllä, koska sen valmistus on paljon halvempaa.

Kolme päätyyppiä piirilevyjä, jotka sisältävät muistisiruja, ovat kaksoisrivimoduulit (DIMM), yhden rivin muistimoduulit (SIMM) ja Rambus-rivimuistimoduulit (RIMM). Nykyään suurin osa emolevyistä käyttää DIMM-moduuleja. DRAM: n moduulin virkistystaajuus on muutaman millisekunnin välein (1 / s sekunnin tuhannesosa). Tämän virkistämisen suorittaa emolevyn piirisarjalla oleva muistiohjain. Koska automaattiseen päivitykseen käytetään päivityslogiikkaa, DRAM-piirilevy on melko monimutkainen. Päivittämiseen käytetään erilaisia ​​järjestelmiä, mutta kaikki menetelmät vaativat laskurin seurataksesi riviä, joka on päivitettävä seuraavana. DRAM-solut on järjestetty neliömäiseen kondensaattorikokoelmaan, tyypillisesti 1024 x 1024 solua. Kun solu on “lue” -tilassa, koko rivi luetaan ja päivitys kirjoitetaan takaisin. Kun “kirjoitus” -tila, koko rivi ”luetaan”, yksi arvo muutetaan ja sitten koko rivi kirjoitetaan uudelleen. Järjestelmästä riippuen, on DRAM-siruja, jotka sisältävät laskurin, kun taas muut järjestelmät luottavat oheispäivityslogiikkaan, joka sisältää laskurin. DRAM: n käyttöaika on noin 60 nanosekuntia, kun taas SRAM voi olla niinkin alhainen kuin 10 nanosekuntia. DRAM: n sykliaika on myös paljon pidempi kuin SRAM: n. SRAM: n jaksoaika on lyhyempi, koska sen ei tarvitse pysähtyä pääsyjen ja päivitysten välillä.